Atomnummer | 33 |
Atomares Gewicht | 74.92 |
Dichte | 5,72 g/cm³ |
Schmelzpunkt | 613 Grad |
Siedepunkt | 817 Grad |
CAS-Nr. | 7440-38-2 |
HS-Code | 2804.8000.00 |
Ware | Standardspezifikation | |||
Reinheit | Verunreinigung (ICP-MS- oder GDMS-Testbericht, jeweils PPM Max) | |||
Hohe Reinheit Arsen | 5N | 99,999 % | Ag/Ni 0,1, Bi/Ca/Cr/Cu/Pb/Al/K/Na/Zn 0,5, Se/S 1,0 | Insgesamt ≤10 |
6N | 99,9999 % | Ag/Cu/Pb 0,01, Mg/Cr/Se/Ni/Al/Sb/Bi/K/Zn 0,02, Ca/Fe/Na 0,05 | Gesamt ≤1,0 | |
7N | 99,99999 % | Ag/Mg/Cr/Se/Ni/Pb/Al/Sb/Bi/Zn 0,005, Cu 0,002, Ca/Fe/Na/K/B 0,010 | Gesamt ≤0,1 | |
Größe | 2-10 mm, 2-20 mm, 3-25 mm unregelmäßiger Klumpen | |||
Verpackung | 1kg, 1,5kg in Schott Glasflasche mit vakuumierter Plastiktüte außen, 9 Flaschen im Karton |
Hochreines Arsen 5N 6N 7Nbei Western Minmetals (SC) Corporation mit einer Reinheit von 99,999 %, 99,9999 % und 99,99999 % kann in einer Größe von 2-7 mm, 2-10 mm, 3-25 mm unregelmäßiger Klumpen geliefert werden, der zu 1,0 kg oder 1,5 kg in einer Schott-Glasflasche verpackt ist mit Argongas gefüllt, Vakuum-Plastikbeutel außen oder als kundenspezifische Spezifikation, um die perfekte Lösung zu erreichen.
Hochreines Arsen5N 6N 7N wird hauptsächlich bei der Herstellung von hochreinen Legierungen, III-V-Verbindungshalbleitern wie Galliumarsenid GaAs und Indiumarsenid InAs, Glashalbleitern, Elektronenröhren, Transistorschweißmaterial, Kontaktmaterial für Präzisionsinstrumente und Steuerstäben von Atomreaktoren verwendet und als Dotierstoff für das Wachstum von Silizium- und Germanium-Einkristallen verwendet.