Galliumantimonid GaSb

Beschreibung

Galliumantimonid GaSb, ein Halbleiter der Gruppe III-V-Verbindungen mit einer Zinkblende-Gitterstruktur, wird durch hochreine 6N 7N-Gallium- und Antimonelemente synthetisiert und durch das LEC-Verfahren aus gerichtet gefrorenen polykristallinen Barren oder das VGF-Verfahren mit EPD < 1000 cm zu Kristallen gezüchtet^-3.GaSb-Wafer können in Scheiben geschnitten und anschließend daraus hergestellt werden, mit einer hohen Gleichmäßigkeit der elektrischen Parameter, einzigartigen und konstanten Gitterstrukturen und einer geringen Defektdichte, dem höchsten Brechungsindex als die meisten anderen nichtmetallischen Verbindungen.GaSb kann mit einer großen Auswahl an exakter oder abweichender Ausrichtung, niedriger oder hoher Dotierungskonzentration, guter Oberflächengüte und für MBE- oder MOCVD-Epitaxie verarbeitet werden.Gallium-Antimonid-Substrat wird in den modernsten photooptischen und optoelektronischen Anwendungen wie der Herstellung von Photodetektoren, Infrarotdetektoren mit langer Lebensdauer, hoher Empfindlichkeit und Zuverlässigkeit, Photoresistkomponenten, Infrarot-LEDs und -Lasern, Transistoren und thermischen Photovoltaikzellen verwendet und Thermo-Photovoltaik-Anlagen.

Lieferung

Galliumantimonid GaSb von Western Minmetals (SC) Corporation kann mit n-Typ, p-Typ und undotierter halbisolierender Leitfähigkeit in Größen von 2 Zoll, 3 Zoll und 4 Zoll (50 mm, 75 mm, 100 mm) Durchmesser, Ausrichtung <111> angeboten werden oder <100>, und mit einer Wafer-Oberflächenveredelung aus geschnittenen, geätzten, polierten oder hochqualitativen Epitaxie-fertigen Veredelungen.Alle Scheiben werden zur Identifizierung einzeln mit Laser beschriftet.Mittlerweile wird auch polykristallines Galliumantimonid GaSb Stück auf Anfrage zur perfekten Lösung kundenspezifisch angepasst.