Einkristall-Siliziumbarren

Beschreibung

Einkristall-Siliziumbarrenis normalerweise gewachsen als großer zylindrischer Barren durch genaue Dotierungs- und Ziehtechnologien Czochralski CZ, magnetfeldinduzierte Czochralski MCZ- und Floating Zone FZ-Methoden.Das CZ-Verfahren ist das am weitesten verbreitete für die Züchtung von Siliziumkristallen großer zylindrischer Barren mit Durchmessern von bis zu 300 mm, die in der Elektronikindustrie zur Herstellung von Halbleitergeräten verwendet werden.Das MCZ-Verfahren ist eine Variation des CZ-Verfahrens, bei dem ein von einem Elektromagneten erzeugtes Magnetfeld eine vergleichsweise niedrige Sauerstoffkonzentration, eine geringere Verunreinigungskonzentration, eine geringere Versetzung und eine gleichmäßige Änderung des spezifischen Widerstands erreichen kann.Das FZ-Verfahren erleichtert das Erreichen eines hohen spezifischen Widerstands über 1000 Ω-cm und eines hochreinen Kristalls mit niedrigem Sauerstoffgehalt.

Lieferung

Einkristall-Siliziumbarren CZ, MCZ, FZ oder FZ NTD mit n-Typ- oder p-Typ-Leitfähigkeit bei Western Minmetals (SC) Corporation können in Größen von 50 mm, 75 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm und 200 mm Durchmesser geliefert werden (2, 3 , 4, 6 und 8 Zoll), Ausrichtung <100>, <110>, <111> mit geerdeter Oberfläche in Verpackung mit Plastikbeutel innen und Karton außen oder als kundenspezifische Spezifikation, um die perfekte Lösung zu erreichen.

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