Siliziumkarbid SiC

Beschreibung

Siliziumkarbid-Wafer SiC, ist eine außerordentlich harte, synthetisch hergestellte kristalline Verbindung aus Silizium und Kohlenstoff durch MOCVD-Verfahren und weist aufseine einzigartige breite Bandlücke und andere günstige Eigenschaften wie niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient, höhere Betriebstemperatur, gute Wärmeableitung, geringere Schalt- und Leitungsverluste, energieeffizienter, hohe Wärmeleitfähigkeit und stärkere elektrische Felddurchbruchfestigkeit sowie konzentriertere Ströme Bedingung.Siliziumkarbid-SiC bei Western Minmetals (SC) Corporation kann in den Größen 2″ 3' 4″ und 6″ (50 mm, 75 mm, 100 mm, 150 mm) Durchmesser mit n-Typ, halbisolierendem oder Dummy-Wafer für die Industrie geliefert werden und Laboranwendung. Jede kundenspezifische Spezifikation ist die perfekte Lösung für unsere Kunden weltweit.

Anwendungen

Hochwertiger 4H/6H-Siliziumkarbid-SiC-Wafer ist perfekt für die Herstellung vieler hochmoderner, überlegener, schneller elektronischer Hochtemperatur- und Hochspannungsgeräte wie Schottky-Dioden und SBD, Hochleistungs-Schalt-MOSFETs und JFETs usw. Es ist auch ein wünschenswertes Material in der Forschung und Entwicklung von Bipolartransistoren mit isoliertem Gate und Thyristoren.Als herausragendes Halbleitermaterial der neuen Generation dient der Siliziumkarbid-SiC-Wafer auch als effizienter Wärmeverteiler in Hochleistungs-LED-Komponenten oder als stabiles und beliebtes Substrat für das Aufwachsen einer GaN-Schicht zugunsten zukünftiger gezielter wissenschaftlicher Erforschung.

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Einzelheiten

Stichworte

Technische Spezifikation

Siliziumkarbid SiC

Siliziumkarbid SiCbei Western Minmetals (SC) Corporation können in den Größen 2″ 3' 4“ und 6″ (50 mm, 75 mm, 100 mm, 150 mm) Durchmesser mit n-Typ, halbisolierendem oder Dummy-Wafer für Industrie- und Laboranwendungen geliefert werden .Jede kundenspezifische Spezifikation ist die perfekte Lösung für unsere Kunden weltweit.

Lineare Formel	SiC
Molekulargewicht	40.1
Kristallstruktur	Wurtzit
Aussehen	Fest
Schmelzpunkt	3103±40K
Siedepunkt	N / A
Dichte bei 300K	3,21 g/cm³
Energielücke	(3.00-3.23) eV
Eigenwiderstand	>1E5 Ω-cm
CAS-Nummer	409-21-2
EG-Nummer	206-991-8

Nein.	Artikel	Standardspezifikation
1	SiC-Größe	2"	3"	4"	6"
2	Durchmesser mm	50,8 0,38	76,2 0,38	100 0,5	150 0,5
3	Wachstumsmethode	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	Leitfähigkeitstyp	4H-N, 6H-N, 4H-SI, 6H-SI
5	Widerstand Ω-cm	0,015-0,028;0,02-0,1;>1E5
6	Orientierung	0°±0,5°;4,0° in Richtung <1120>
7	Dicke μm	330±25	330±25	(350-500)±25	(350-500)±25
8	Lage der Hauptwohnung	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	Primäre flache Länge mm	16 ± 1,7	22,2 ± 3,2	32,5±2	47,5 ± 2,5
10	Lage der Nebenwohnung	Silikonseite nach oben: 90°, im Uhrzeigersinn von der Grundfläche ±5,0°
11	Sekundäre flache Länge mm	8 ± 1,7	11,2 ± 1,5	18±2	22 ± 2,5
12	TTV μm max	15	15	15	15
13	Bogen μm max	40	40	40	40
14	Krümmung μm max	60	60	60	60
15	Kantenausschluss mm max	1	2	3	3
16	Micropipe Dichte cm-2	<5, industriell;<15, Labor;<50, dumm
17	Luxation cm-2	<3000, industriell;<20000, Labor;<500000, Dummy
18	Oberflächenrauheit nm max	1 (poliert), 0,5 (CMP)
19	Risse	Keine, für Industriequalität
20	Sechseckige Platten	Keine, für Industriequalität
21	Kratzer	≤3mm, Gesamtlänge kleiner als Substratdurchmesser
22	Kantenchips	Keine, für Industriequalität
23	Verpackung	Einzelner Waffelbehälter, versiegelt in einem Aluminiumverbundbeutel.

Siliziumkarbid SiC 4H/6HHochwertiger Wafer ist perfekt für die Herstellung vieler hochmoderner, hochwertiger, schneller elektronischer Hochtemperatur- und Hochspannungsgeräte wie Schottky-Dioden und SBD, Hochleistungs-Schalt-MOSFETs und JFETs usw. Es ist auch ein begehrtes Material in der Forschung und Entwicklung von Bipolartransistoren mit isoliertem Gate und Thyristoren.Als herausragendes Halbleitermaterial der neuen Generation dient der Siliziumkarbid-SiC-Wafer auch als effizienter Wärmeverteiler in Hochleistungs-LED-Komponenten oder als stabiles und beliebtes Substrat für das Aufwachsen einer GaN-Schicht zugunsten zukünftiger gezielter wissenschaftlicher Erforschung.