CZ-Siliziumwafer

Beschreibung

CZ Einkristall-Siliziumwafer wird aus einem Einkristall-Siliziumblock geschnitten, der durch das Czochralski CZ-Wachstumsverfahren gezogen wird, das am häufigsten für das Siliziumkristallwachstum von großen zylindrischen Blöcken verwendet wird, die in der Elektronikindustrie zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen verwendet werden.Bei diesem Verfahren wird ein dünner Keim aus kristallinem Silizium mit genauen Ausrichtungstoleranzen in das Schmelzbad aus Silizium eingeführt, dessen Temperatur genau gesteuert wird.Der Impfkristall wird langsam mit einer sehr kontrollierten Geschwindigkeit aus der Schmelze nach oben gezogen, die kristalline Erstarrung von Atomen aus einer flüssigen Phase erfolgt an einer Grenzfläche, der Impfkristall und der Tiegel werden während dieses Ziehvorgangs in entgegengesetzte Richtungen gedreht, wodurch ein großer Einkristall entsteht kristallines Silizium mit der perfekten kristallinen Struktur des Samens.

Dank des Magnetfelds, das auf das standardmäßige CZ-Ingot-Ziehen angewendet wird, weist das magnetfeldinduzierte Czochralski MCZ-Einkristall-Silizium eine vergleichsweise geringere Verunreinigungskonzentration, einen geringeren Sauerstoffgehalt und eine geringere Versetzung sowie eine gleichmäßige Widerstandsänderung auf, die sich gut in hochtechnologischen elektronischen Komponenten und Geräten bewährt Fertigung in der Elektronik- oder Photovoltaikindustrie.

Lieferung

CZ- oder MCZ-Einkristall-Siliziumwafer mit n- und p-Leitfähigkeit bei Western Minmetals (SC) Corporation können in Größen von 2, 3, 4, 6, 8 und 12 Zoll Durchmesser (50, 75, 100, 125, 150, 200 und 300 mm), Ausrichtung <100>, <110>, <111> mit geläppter, geätzter und polierter Oberfläche in Schaumstoffbox oder Kassette mit Karton außen.

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Einzelheiten

Stichworte

Technische Spezifikation

CZ-Siliziumwafer

CZ Einkristall-Siliziumwafer ist das Grundmaterial bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen, Dioden, Transistoren, diskreten Komponenten, die in allen Arten von elektronischen Geräten und Halbleiterbauelementen verwendet werden, sowie als Substrat in der Epitaxieverarbeitung, SOI-Wafersubstrat- oder halbisolierenden Verbundwaferherstellung, besonders groß Durchmesser von 200 mm, 250 mm und 300 mm sind optimal für die Herstellung von ultrahochintegrierten Geräten.Einkristallines Silizium wird auch in großen Mengen von der Photovoltaikindustrie für Solarzellen verwendet, dessen nahezu perfekte Kristallstruktur den höchsten Licht-zu-Strom-Umwandlungswirkungsgrad ergibt.

Nein.	Artikel	Standardspezifikation
1	Größe	2"	3"	4"	6"	8"	12"
2	Durchmesser mm	50,8 ± 0,3	76,2 ± 0,3	100 ± 0,5	150 ± 0,5	200 ± 0,5	300 ± 0,5
3	Leitfähigkeit	P oder N oder undotiert
4	Orientierung	<100>, <110>, <111>
5	Dicke μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 oder nach Bedarf
6	Widerstand Ω-cm	≤0,005, 0,005-1, 1-10, 10-20, 20-100, 100-300 usw
7	RRV max	8 %, 10 %, 12 %
8	Primärflach/Länge mm	Als SEMI-Standard oder nach Bedarf
9	Sekundärflach/Länge mm	Als SEMI-Standard oder nach Bedarf
10	TTV μm max	10	10	10	10	10	10
11	Bogen & Warp μm max	30	30	30	30	30	30
12	Oberflächenveredlung	Wie geschnitten, L/L, P/E, P/P
13	Verpackung	Schaumstoffbox oder Kassette innen, Kartonbox außen.

Symbol	Si
Ordnungszahl	14
Atomares Gewicht	28.09
Elementkategorie	Metalloid
Gruppe, Periode, Block	14, 3, S
Kristallstruktur	Diamant
Farbe	Dunkelgrau
Schmelzpunkt	1414 °C, 1687,15 K
Siedepunkt	3265 °C, 3538,15 K
Dichte bei 300K	2,329 g/cm³
Eigenwiderstand	3,2E5 Ω-cm
CAS-Nummer	7440-21-3
EG-Nummer	231-130-8

CZ- oder MCZ-Einkristall-Siliziumwafern-Typ- und p-Typ-Leitfähigkeit bei Western Minmetals (SC) Corporation können in Größen von 2, 3, 4, 6, 8 und 12 Zoll Durchmesser (50, 75, 100, 125, 150, 200 und 300 mm) geliefert werden. Ausrichtung <100>, <110>, <111> mit Oberflächenbeschaffenheit wie geschnitten, geläppt, geätzt und poliert in einer Schaumstoffbox oder Kassette mit Karton außen.