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Indiumantimonid InSb

Indiumantimonid InSb, eine synthetische InSb-Verbindung aus hochreinem Indium und hochreinem Antimon, die ein Halbleiter- und lichtempfindliches Material ist, kann aus einem einkristallinen Indium-Antimonid-InSb-Ingot, der durch das Liquid Encapsulated Czochralski (LEC)-Verfahren gezüchtet wurde, in Scheiben geschnitten und zu Wafern verarbeitet werden.

Dank seiner schmalen Bandlücke, ultrahohen Hall-Mobilität und einzigartigen Gitterstrukturen ist der InSb-Wafer ein ideales Substrat für die Herstellung vieler hochmoderner Komponenten und Geräte wie Fotodioden, Fotoemitter, schnelle Transistoren, Magnetfeldsensoren & photoelektromagnetische Detektoren. Durch die hohe Empfindlichkeit gegenüber Wellenlängen zwischen 1–5 μm und die beeindruckende Quanteneffizienz wird InSb auch häufig für die Forschung und Entwicklung von IR-Detektoren, Strahlungsquellen und astronomischen Weltraumteleskopen verwendet.

Indium-Antimonid-InSb-Wafer von 2″ oder 3″ mit hochwertiger CMP-Oberfläche(n) sind erhältlich. Inzwischen werden die polykristallinen Galliumantimonid-Barren und -Blöcke auf Anfrage auch kundenspezifisch angepasst.


Einzelheiten

Stichworte

Technische Spezifikation

Nein. Artikel Standardspezifikation
1 Größe 2" 3" 4"
2 Durchmesser mm 50,5±0,5 76,2 ± 0,5 100±0,5
3 Wachstumsmethode LEC LEC LEC
4 Leitfähigkeit P/(Zn-dotiert oder undotiert), N/Te-dotiert
5 Orientierung (100) ± 0,5 °, (111) ± 0,5 °
6 Dicke μm 500±25 600±25 800±25
7 Ausrichtung flach mm 16±2 22±1 32,5±1
8 Bezeichnung flach mm 8±1 11±1 18±1
9 Mobilität cm2/Vs 200-3500 oder nach Bedarf
10 Trägerkonzentration cm-3 (1-100)E17 oder nach Bedarf
11 TTV μm max 15 15 15
12 Bogen μm max 15 15 15
13 Verwerfung μm max 20 20 20
14 Versetzungsdichte cm-2 max 500 1000 2000
15 Oberflächenfinish P/E, P/P P/E, P/P P/E, P/P
16 Verpackung Einzelwaffelbehälter versiegelt in Aluminiumbeutel.

Grundmaterialparameter

Lineare Formel InSb
Molekulargewicht 236.58
Kristallstruktur Zinkmischung
Aussehen Dunkelgraue Metallic-Kristalle
Schmelzpunkt 527 °C
Siedepunkt N / A
Dichte bei 300K 5,78 g/cm3
Energielücke 0,17 eV
Eigenwiderstand 4E(-3) Ω-cm
CAS-Nummer 1312-41-0
EG-Nummer 215-192-3

Beschaffungstipps

  • Muster auf Anfrage erhältlich
  • Sicherheitslieferung von Waren per Kurier/Luft/See
  • COA/COC-Qualitätsmanagement
  • Sicheres und bequemes Verpacken
  • UN-Standardverpackung auf Anfrage erhältlich
  • Qualitätsprüfung einschließlich XRD/SEM/ICP/GDMS usw.
  • Vollständiger Geltungsbereich der Handelsbedingungen CPT/FOB/CFR/CIP nach Incoterms 2010
  • Flexible Zahlungsbedingungen T/TD/PL/C akzeptabel
  • Volldimensionaler After-Sales-Service
  • ISO9001: 2015 zertifiziert und Rohs/REACH-Verordnungen genehmigt
  • Geheimhaltungsvereinbarungen
  • Nichtkonflikt-Mineralpolitik
  • Regelmäßige Überprüfung des Umweltmanagements
  • Erfüllung sozialer Verantwortung

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