Galliumnitrid GaN

Beschreibung

Galliumnitrid GaN, CAS 25617-97-4, Molekulargewicht 83,73, Wurtzit-Kristallstruktur, ist ein Halbleiter mit direkter Bandlücke aus einer binären Verbindung der Gruppe III-V, der durch ein hochentwickeltes ammonothermales Prozessverfahren gezüchtet wird.Gekennzeichnet durch eine perfekte kristalline Qualität, hohe Wärmeleitfähigkeit, hohe Elektronenmobilität, ein hohes kritisches elektrisches Feld und eine große Bandlücke, hat Galliumnitrid GaN wünschenswerte Eigenschaften in Optoelektronik und Sensoranwendungen.

Anwendungen

Galliumnitrid GaN eignet sich für die Herstellung von hochmodernen, lichtemittierenden Dioden mit hoher Geschwindigkeit und hoher Kapazität, LED-Komponenten, Laser- und optoelektronischen Geräten wie grünen und blauen Lasern, High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMTs) und in Hochleistungsprodukten und Hochtemperaturgeräte herstellende Industrie.

Lieferung

Galliumnitrid-GaN von Western Minmetals (SC) Corporation kann in der Größe eines kreisförmigen Wafers von 2 Zoll oder 4 Zoll (50 mm, 100 mm) und eines quadratischen Wafers von 10 × 10 oder 10 × 5 mm bereitgestellt werden.Jede kundenspezifische Größe und Spezifikation ist die perfekte Lösung für unsere Kunden weltweit.

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Einzelheiten

Stichworte

Technische Spezifikation

Galliumnitrid GaN

Galliumnitrid GaNbei Western Minmetals (SC) Corporation kann in der Größe eines kreisförmigen Wafers von 2 Zoll oder 4 Zoll (50 mm, 100 mm) und eines quadratischen Wafers von 10 × 10 oder 10 × 5 mm bereitgestellt werden.Jede kundenspezifische Größe und Spezifikation ist die perfekte Lösung für unsere Kunden weltweit.

Nein.	Artikel	Standardspezifikation
1	Form	Kreisförmig	Kreisförmig	Quadrat
2	Größe	2"	4"	--
3	Durchmesser mm	50,8 ± 0,5	100 ± 0,5	--
4	Seitenlänge mm	--	--	10x10 oder 10x5
5	Wachstumsmethode	HVPE	HVPE	HVPE
6	Orientierung	C-Ebene (0001)	C-Ebene (0001)	C-Ebene (0001)
7	Leitfähigkeitstyp	N-Typ/Si-dotiert, undotiert, halbisolierend
8	Widerstand Ω-cm	< 0,1, < 0,05, > 1E6
9	Dicke μm	350±25	350±25	350±25
10	TTV μm max	15	15	15
11	Bogen μm max	20	20	20
12	EPD cm-2	<5E8	<5E8	<5E8
13	Oberflächenveredlung	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
14	Oberflächenrauheit	Vorderseite: ≤ 0,2 nm, Rückseite: 0,5–1,5 μm oder ≤ 0,2 nm
15	Verpackung	Einzelwaffelbehälter in Aluminiumbeutel versiegelt.

Lineare Formel	GaN
Molekulargewicht	83.73
Kristallstruktur	Zinkblende/Wurtzit
Aussehen	Durchscheinender Feststoff
Schmelzpunkt	2500 Grad
Siedepunkt	N / A
Dichte bei 300K	6,15 g/cm³
Energielücke	(3,2–3,29) eV bei 300 K
Eigenwiderstand	>1E8 Ω-cm
CAS-Nummer	25617-97-4
EG-Nummer	247-129-0

Galliumnitrid GaNeignet sich für die Herstellung von hochmodernen, lichtemittierenden Dioden mit hoher Geschwindigkeit und hoher Kapazität, LED-Komponenten, Laser- und optoelektronischen Geräten wie grünen und blauen Lasern, Produkten mit Transistoren mit hoher Elektronenmobilität (HEMTs) und in Hochleistungs- und Hochleistungs- Industrie zur Herstellung von Temperaturgeräten.