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Cadmiumarsenid Cd3As2|GaAs InAs Nb3As2

Beschreibung

Cadmiumarsenid Cd3As25N 99,999 %,dunkelgraue Farbe, mit einer Dichte von 6,211 g/cm3, Schmelzpunkt 721°C, Molekül 487.04, CAS12006-15-4, löslich in Salpetersäure HNO3 und Luftstabilität, ist ein synthetisiertes Verbundmaterial aus hochreinem Cadmium und Arsen.Cadmiumarsenid ist ein anorganisches Halbmetall der II-V-Familie und zeigt den Nernst-Effekt.Cadmiumarsenid-Kristalle, die durch das Bridgman-Wachstumsverfahren gezüchtet wurden, nicht geschichtete Bulk-Dirac-Halbmetallstruktur, ist ein entarteter II-V-Halbleiter vom N-Typ oder ein Halbleiter mit schmaler Bandlücke mit hoher Ladungsträgermobilität, geringer effektiver Masse und einer stark nichtparabolischen Leitung Band.Cadmiumarsenid Cd3As2 oder CdAs ist ein kristalliner Festkörper und findet mehr und mehr Anwendung in einem Halbleiter- und im photooptischen Bereich, wie in Infrarotdetektoren unter Verwendung des Nernst-Effekts, in dynamischen Dünnschicht-Drucksensoren, Lasern, Leuchtdioden, LED, Quantenpunkten, zu machen Magnetowiderstände und in Photodetektoren.Arsenidverbindungen von Arsenid GaAs, Indiumarsenid InAs und Niobarsenid NbAs oder Nb5As3finden mehr Anwendung als Elektrolytmaterial, Halbleitermaterial, QLED-Display, IC-Feld und andere Materialfelder.

Lieferung

Cadmiumarsenid Cd3As2und Galliumarsenid GaAs, Indiumarsenid InAs und Niobarsenid NbAs oder Nb5As3bei Western Minmetals (SC) Corporation mit einer Reinheit von 99,99 % 4N und 99,999 % 5N ist in der Größe von polykristallinem Mikropulver -60 Mesh, -80 Mesh, Nanopartikel, Klumpen 1-20 mm, Körnchen 1-6 mm, Stück, Rohling, Massenkristall und Einkristall usw ., oder als kundenspezifische Spezifikation, um die perfekte Lösung zu erreichen.


Einzelheiten

Stichworte

Technische Spezifikation

Arsenidverbindungen

Arsenidverbindungen beziehen sich hauptsächlich auf Metallelemente und Halbmetallverbindungen, deren stöchiometrische Zusammensetzung sich innerhalb eines bestimmten Bereichs ändert, um eine verbindungsbasierte feste Lösung zu bilden.Intermetallische Verbindungen liegen aufgrund ihrer hervorragenden Eigenschaften zwischen Metall und Keramik und sind zu einem wichtigen Zweig der neuen Strukturmaterialien geworden.Neben Galliumarsenid GaAs, Indiumarsenid InAs und Niobarsenid NbAs oder Nb5As3kann auch in Form von Pulver, Granulat, Klumpen, Riegel, Kristall und Substrat synthetisiert werden.

Cadmiumarsenid Cd3As2und Galliumarsenid GaAs, Indiumarsenid InAs und Niobarsenid NbAs oder Nb5As3bei Western Minmetals (SC) Corporation mit einer Reinheit von 99,99 % 4N und 99,999 % 5N ist in der Größe von polykristallinem Mikropulver -60 Mesh, -80 Mesh, Nanopartikel, Klumpen 1-20 mm, Körnchen 1-6 mm, Stück, Rohling, Massenkristall und Einkristall usw ., oder als kundenspezifische Spezifikation, um die perfekte Lösung zu erreichen.

CM-W2

GaAs-W3

Nein.

Artikel

Standardspezifikation

Reinheit

Verunreinigung PPM Max. je

Größe

1

CadmiumarsenidCd3As2

5N

 Ag/Cu/Ca/Mg/Sn/Fe/Cr/Bi 0,5, Ni/S 0,2, Zn/Pb 1,0

-60 Mesh -80 Mesh Pulver, 1-20 mm Klumpen, 1-6 mm Granulat

2

Galliumarsenid GaAs

5N 6N 7N

 GaAs-Zusammensetzung ist auf Anfrage erhältlich

3

Niobarsenid NbAs

3N5

 Die NbAs-Zusammensetzung ist auf Anfrage erhältlich

4

Indiumarsenid InAs

5N 6N

 InAs-Zusammensetzung ist auf Anfrage erhältlich

5

Verpackung

500g oder 1000g in PE-Flasche oder Kombibeutel, Karton außen

Galliumarsenid

GaAs

Galliumarsenid GaAs, Ein III-V-Verbindungshalbleitermaterial mit direkter Lücke und einer Zinkblende-Kristallstruktur, wird aus hochreinen Gallium- und Arsenelementen synthetisiert und kann aus einem einkristallinen Barren, der durch das Vertical Gradient Freeze (VGF)-Verfahren gezüchtet wurde, in Scheiben geschnitten und in Wafer und Rohlinge verarbeitet werden .Dank seiner sättigenden Hallenmobilität und hohen Leistungs- und Temperaturstabilität erreichen die von ihm hergestellten HF-Komponenten, Mikrowellen-ICs und LED-Geräte eine hervorragende Leistung in ihren Hochfrequenz-Kommunikationsszenen.Inzwischen macht seine UV-Lichtdurchlässigkeit es auch zu einem bewährten Grundmaterial in der Photovoltaikindustrie.Galliumarsenid-GaAs-Wafer bei Western Minmetals (SC) Corporation können mit einem Durchmesser von bis zu 6 Zoll oder 150 mm mit einer Reinheit von 6N 7N geliefert werden, und Galliumarsenid-Substrate in mechanischer Qualität sind ebenfalls erhältlich. In der Zwischenzeit sind polykristalline Galliumarsenid-Barren, Klumpen und Körner usw. mit Reinheit von 99,999 % 5N, 99,9999 % 6N, 99,99999 % 7N von Western Minmetals (SC) Corporation sind ebenfalls erhältlich oder als kundenspezifische Spezifikation auf Anfrage.

Indiumarsenid

InAs

Indiumarsenid InAs, Ein Halbleiter mit direkter Bandlücke, der in der Zinkblende-Struktur kristallisiert, zusammengesetzt aus hochreinen Indium- und Arsenelementen, gezüchtet durch das Liquid Encapsulated Czochralski (LEC)-Verfahren, kann in Scheiben geschnitten und aus einem einkristallinen Ingot hergestellt werden.Aufgrund der geringen Versetzungsdichte, aber des konstanten Gitters ist InAs ein ideales Substrat, um die heterogenen InAsSb-, InAsPSb- und InNAsSb-Strukturen oder die AlGaSb-Übergitterstruktur weiter zu unterstützen.Daher spielt es eine wichtige Rolle bei der Herstellung von infrarotemittierenden Vorrichtungen im Wellenlängenbereich von 2–14 μm.Außerdem ermöglicht die hervorragende Hall-Mobilität, aber die schmale Energiebandlücke von InAs, dass es auch zu einem großartigen Substrat für Hall-Komponenten oder die Herstellung anderer Laser- und Strahlungsgeräte wird.Indiumarsenid InAs bei Western Minmetals (SC) Corporation mit einer Reinheit von 99,99 % 4N, 99,999 % 5N, 99,9999 % 6N kann in Substraten mit einem Durchmesser von 2 Zoll, 3 Zoll und 4 Zoll geliefert werden ) Corporation ist ebenfalls erhältlich oder als kundenspezifische Spezifikation auf Anfrage.

Niobarsenid

NbAs-2

NIobiumarsenid Nb5As3 or NbAs,grauweißer oder grauer kristalliner Feststoff, CAS-Nr. 12255-08-2, Formelgewicht 653,327 Nb5As3und 167.828 NbAs, ist eine binäre Verbindung aus Niob und Arsen mit der Zusammensetzung NbAs, Nb5As3, NbAs4 … usw., die durch das CVD-Verfahren synthetisiert wird. Diese festen Salze haben sehr hohe Gitterenergien und sind aufgrund der inhärenten Toxizität von Arsen toxisch.Die thermische Hochtemperaturanalyse zeigt, dass NdAs beim Erhitzen Arsenverflüchtigung zeigten. Niobarsenid, ein Weyl-Halbmetall, ist eine Art Halbleiter- und photoelektrisches Material in Anwendungen für Halbleiter, Photooptik, Laser-Leuchtdioden, Quantenpunkte, optische und Drucksensoren, als Zwischenprodukte und zur Herstellung von Supraleitern usw. Niobarsenid Nb5As3oder NbAs bei Western Minmetals (SC) Corporation mit einer Reinheit von 99,99 % 4N kann in Form von Pulver, Körnern, Klumpen, Targets und Schüttkristallen usw. oder als kundenspezifische Spezifikation geliefert werden, die gut verschlossen und lichtbeständig aufbewahrt werden sollte , trockener und kühler Ort.

Beschaffungstipps

  • Muster auf Anfrage erhältlich
  • Sichere Warenlieferung per Kurier/Luft/See
  • COA/COC-Qualitätsmanagement
  • Sichere und bequeme Verpackung
  • UN-Standardverpackung auf Anfrage erhältlich
  • ISO9001:2015 zertifiziert
  • CPT/CIP/FOB/CFR-Bedingungen Gemäß Incoterms 2010
  • Flexible Zahlungsbedingungen T/TD/PL/C Akzeptabel
  • Vollständiger dimensionaler Kundendienst
  • Qualitätsprüfung durch hochmoderne Einrichtung
  • Zulassung nach Rohs/REACH-Vorschriften
  • Geheimhaltungsvereinbarung NDA
  • Richtlinie zu konfliktfreien Mineralien
  • Regelmäßige Überprüfung des Umweltmanagements
  • Erfüllung sozialer Verantwortung

Cd2As3 Nb2As3GaAsInAs

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