Galliumphosphid GaP, ein Halbleiter vom III–V-Typ, der in der thermodynamisch stabilen kubischen ZB-Struktur kristallisiert, ist ein orange-gelber halbtransparenter oder transparenter Wafer, der aus hochreinem Gallium und Phosphor zusammengesetzt ist und nach der Liquid Encapsulated Czochralski (LEC)-Methode gewachsen ist. Der GaP-Wafer und der einkristalline Ingot können in Scheiben geschnitten und hergestellt werden.
Mit niedrigem Strom und hoher Effizienz bei der Lichtemission eignet sich der GaP-Wafer für die Herstellung kostengünstiger herkömmlicher gelb-grüner LEDs und LED-Chips, die auch als Basissubstrat für die Herstellung von Infrarotsensoren und Überwachungskameras weit verbreitet sind.
2″-Wafergröße, P-Typ-Zink-dotiert, N-Typ-Schwefel oder Tellur-dotiert oder undotiert sind alle erhältlich.
Technische Spezifikation
Nein. | Artikel | Standardspezifikation |
1 | Größe | 2" |
2 | Durchmesser mm | 50,8 0,5 |
3 | Wachstumsmethode | LEC |
4 | Leitfähigkeitstyp | P/Zn, N/S, N/Te, N/undotiert |
5 | Orientierung | (111)±0.5° |
6 | Dicke μm | (300-400)±20 |
7 | Widerstand Ω-cm | 0,003-0,3 |
8 | Orientierung flach (OF) mm | 16±1 |
9 | Bezeichnung Flach (IF) mm | 8±1 |
10 | Hallenmobilität cm2/Vs min | 100 |
11 | Trägerkonzentration cm-3 | (2-20)E17 |
12 | Versetzungsdichte cm-2 max | 2.00E+05 |
13 | Oberflächenfinish | P/E, P/P |
14 | Verpackung | Einzelwaffelbehälter versiegelt in Aluminiumbeutel. |
Grundmaterialparameter
Lineare Formel | Spalt |
Molekulargewicht | 100,7 |
Kristallstruktur | Zinkmischung |
Aussehen | Orangefarbener Feststoff |
Schmelzpunkt | N / A |
Siedepunkt | N / A |
Dichte bei 300K | 4,14 g/cm3 |
Energielücke | 2,26 eV |
Eigenwiderstand | N / A |
CAS-Nummer | 12063-98-8 |
EG-Nummer | 235-057-2 |
Beschaffungstipps
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