Galliumphosphid GaP

Beschreibung

Galliumphosphid GaP, ein wichtiger Halbleiter mit einzigartigen elektrischen Eigenschaften wie andere III-V-Verbindungsmaterialien, kristallisiert in der thermodynamisch stabilen kubischen ZB-Struktur, ist ein orange-gelbes halbtransparentes Kristallmaterial mit einer indirekten Bandlücke von 2,26 eV (300 K). aus 6N 7N hochreinem Gallium und Phosphor synthetisiert und durch die Liquid Encapsulated Czochralski (LEC)-Technik zu einem Einkristall gezüchtet.Galliumphosphid-Kristalle sind mit Schwefel oder Tellur dotiert, um einen Halbleiter vom n-Typ zu erhalten, und mit Zink dotiert als p-Typ-Leitfähigkeit für die weitere Verarbeitung zu einem gewünschten Wafer, der Anwendungen in optischen Systemen, elektronischen und anderen optoelektronischen Geräten hat.Einkristall-GaP-Wafer können Epi-Ready für Ihre LPE-, MOCVD- und MBE-Epitaxieanwendung vorbereitet werden.Hochwertige Einkristall-Galliumphosphid-GaP-Wafer mit p-Typ, n-Typ oder undotierter Leitfähigkeit bei Western Minmetals (SC) Corporation können in den Größen 2″ und 3″ (50 mm, 75 mm Durchmesser) mit Ausrichtung <100>, <111 angeboten werden > mit Oberflächenbeschaffenheit im Zuschnitt-, Polier- oder Epi-Ready-Verfahren.

Anwendungen

Mit niedrigem Strom und hoher Effizienz bei der Lichtemission eignet sich der Galliumphosphid-GaP-Wafer für optische Anzeigesysteme als kostengünstige rote, orange und grüne Leuchtdioden (LEDs) und die Hintergrundbeleuchtung von gelben und grünen LCDs usw. und die Herstellung von LED-Chips Niedriger bis mittlerer Helligkeit wird GaP auch weithin als Basissubstrat für die Herstellung von Infrarotsensoren und Überwachungskameras verwendet.

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Einzelheiten

Stichworte

Technische Spezifikation

Galliumphosphid GaP

Hochwertige Einkristall-Galliumphosphid-GaP-Wafer oder -Substrate mit p-Typ, n-Typ oder undotierter Leitfähigkeit bei Western Minmetals (SC) Corporation können in Größen von 2 Zoll und 3 Zoll (50 mm, 75 mm) im Durchmesser, Ausrichtung <100> angeboten werden , <111> mit Oberflächenbeschaffenheit wie geschnitten, geläppt, geätzt, poliert, epi-fertig verarbeitet in einem einzelnen Waferbehälter, der in einem Aluminiumverbundbeutel versiegelt ist, oder als kundenspezifische Spezifikation zur perfekten Lösung.

Nein.	Artikel	Standardspezifikation
1	GaP-Größe	2"
2	Durchmesser mm	50,8 ± 0,5
3	Wachstumsmethode	LEC
4	Leitfähigkeitstyp	P-Typ/Zn-dotiert, N-Typ/(S, Si, Te)-dotiert, undotiert
5	Orientierung	<1 1 1> ± 0,5°
6	Dicke μm	(300-400) ± 20
7	Widerstand Ω-cm	0,003-0,3
8	Ausrichtung flach (OF) mm	16±1
9	Kennzeichnung Flach (IF) mm	8±1
10	Hall Mobilität cm2/Vs min	100
11	Trägerkonzentration cm^-3	(2-20) E17
12	Versetzungsdichte cm^-2max	2.00E+05
13	Oberflächenveredlung	P/E, P/P
14	Verpackung	Einzelwaffelbehälter verschweißt im Alu-Verbundbeutel, Kartonschachtel außen

Lineare Formel	Lücke
Molekulargewicht	100.7
Kristallstruktur	Zinkblende
Aussehen	Orangefarbener Feststoff
Schmelzpunkt	N / A
Siedepunkt	N / A
Dichte bei 300K	4,14 g/cm³
Energielücke	2,26 eV
Eigenwiderstand	N / A
CAS-Nummer	12063-98-8
EG-Nummer	235-057-2

Galliumphosphid-GaP-Wafer, mit niedrigem Strom und hoher Effizienz bei der Lichtemission, eignet sich für optische Anzeigesysteme als kostengünstige rote, orange und grüne Leuchtdioden (LEDs) und Hintergrundbeleuchtung von gelben und grünen LCDs usw. sowie für die Herstellung von LED-Chips mit niedriger bis mittlerer Leistung Helligkeit wird GaP auch weithin als Basissubstrat für die Herstellung von Infrarotsensoren und Überwachungskameras verwendet.