Single Crystal Germanium Wafer / Ingot Featured Image

Einkristall-Germanium-Wafer / Barren

Beschreibung

Einkristall-Germanium-Wafer/Barrenoder monokristallines Germanium hat eine silbergraue Farbe, Schmelzpunkt 937°C, Dichte 5,33 g/cm³.Ein kristallines Germanium ist spröde und hat bei Raumtemperatur wenig Plastizität.Hochreines Germanium wird durch Zonenfloaten erhalten und mit Indium und Gallium oder Antimon dotiert, um eine n-Typ- oder p-Typ-Leitfähigkeit zu erreichen, die eine hohe Elektronenmobilität und eine hohe Lochmobilität aufweist, und kann zum Antibeschlagen oder Antivereisen elektrisch erhitzt werden Anwendungen.Single Crystal Germanium wird durch Vertical Gradient Freeze VGF-Technologie gezüchtet, um chemische Stabilität, Korrosionsbeständigkeit, gute Durchlässigkeit, sehr hohen Brechungsindex und hohe Gitterperfektion zu gewährleisten.

Anwendungen

Einkristall-Germanium findet vielversprechende und breite Anwendungen, in denen elektronische Qualität für Dioden und Transistoren verwendet wird, Infrarot- oder optische Germaniumrohlinge oder -fenster für optische IR-Fenster oder -Scheiben, optische Komponenten für Nachtsicht und thermografische Bildgebungslösungen für Sicherheit, Ferntemperaturmessung, Brandbekämpfungs- und Industrieüberwachungsgeräte, leicht dotierte P- und N-Typ-Germanium-Wafer können auch für Hall-Effekt-Experimente verwendet werden.Die Zellqualität ist für Substrate, die in III-V-Solarzellen mit dreifachen Übergängen verwendet werden, und für konzentrierte PV-Systeme von Solarzellen usw.

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Einzelheiten

Stichworte

Technische Spezifikation

Einkristall-Germanium

Einkristall-Germanium-Wafer oder Barrenmit n-Typ, p-Typ und undotierter Leitfähigkeit und Orientierung <100> kann bei Western Minmetals (SC) Corporation in den Größen 2, 3, 4 und 6 Zoll Durchmesser (50 mm, 75 mm, 100 mm und 150 mm) geliefert werden geätzte oder polierte Oberflächenbeschaffenheit in Schaumstoffbox oder Kassette für Wafer und in versiegelter Plastiktüte für Barren mit Karton außen, polykristalliner Germaniumbarren ist auf Anfrage ebenfalls erhältlich oder als kundenspezifische Spezifikation, um die perfekte Lösung zu erreichen.

Symbol	Ge
Ordnungszahl	32
Atomares Gewicht	72.63
Elementkategorie	Metalloid
Gruppe, Periode, Block	14, 4, S
Kristallstruktur	Diamant
Farbe	Grau weiß
Schmelzpunkt	937 °C, 1211,40 K
Siedepunkt	2833°C, 3106K
Dichte bei 300K	5,323 g/cm³
Eigenwiderstand	46 Ω-cm
CAS-Nummer	7440-56-4
EG-Nummer	231-164-3

Nein.	Artikel	Standardspezifikation
1	Germanium-Wafer	2"	3"	4"	6"
2	Durchmesser mm	50,8 ± 0,3	76,2 ± 0,3	100 ± 0,5	150 ± 0,5
3	Wachstumsmethode	VGF oder CZ	VGF oder CZ	VGF oder CZ	VGF oder CZ
4	Leitfähigkeit	P-Typ/dotiert (Ga oder In), N-Typ/dotiertes Sb, undotiert
5	Orientierung	(100) ±0,5°	(100) ±0,5°	(100) ±0,5°	(100) ±0,5°
6	Dicke μm	145, 175, (500-1000)
7	Widerstand Ω-cm	0,001-50	0,001-50	0,001-50	0,001-50
8	Mobilität cm2/Vs	>200	>200	>200	>200
9	TTV μm max	5, 8, 10	5, 8, 10	5, 8, 10	5, 8, 10
10	Bogen μm max	15	15	15	15
11	Krümmung μm max	15	15	15	15
12	Verschiebung cm-2 max	300	300	300	300
13	EPD cm-2	<4000	<4000	<4000	<4000
14	Partikelanzahl a/Wafer max	10 (bei ≥0,5 μm)	10 (bei ≥0,5 μm)	10 (bei ≥0,5 μm)	10 (bei ≥0,5 μm)
15	Oberflächenveredlung	P/E, P/P oder nach Bedarf
16	Verpackung	Einzelwaffelbehälter oder Kassette innen, Kartonschachtel außen

Nein.	Artikel	Standardspezifikation
1	Germaniumbarren	2"	3"	4"	6"
2	Typ	P-Typ / dotiert (Ga, In), N-Typ / dotiert (As, Sb), undotiert
3	Widerstand Ω-cm	0,1-50	0,1-50	0,1-50	0,1-50
4	Trägerlebensdauer μs	80-600	80-600	80-600	80-600
5	Barrenlänge mm	140-300	140-300	140-300	140-300
6	Verpackung	Versiegelt in Plastiktüte oder Schaumstoffbox innen, Kartonbox außen
7	Anmerkung	Polykristalliner Germaniumbarren ist auf Anfrage erhältlich

Einkristall-Germaniumfindet vielversprechende und breite Anwendungen, in denen elektronische Qualität für Dioden und Transistoren verwendet wird, Infrarot- oder optische Germaniumrohlinge oder -fenster für optische IR-Fenster oder -Scheiben, optische Komponenten für Nachtsicht und thermografische Bildgebungslösungen für Sicherheit, Ferntemperaturmessung, Brandbekämpfungs- und Industrieüberwachungsgeräte, leicht dotierte P- und N-Typ-Germanium-Wafer können auch für Hall-Effekt-Experimente verwendet werden.Die Zellqualität ist für Substrate, die in III-V-Solarzellen mit dreifachen Übergängen verwendet werden, und für konzentrierte PV-Systeme von Solarzellen usw.