FZ Siliziumwafer

FZ Einkristall-Siliziumwafer, aus polykristallinem Silizium, das nach dem Siemens-Verfahren synthetisiert wird, durch die Einführung der vertikalen Floating-Zone-Refining-Technologie wird mit einer gleichmäßigen Dotierstoffverteilung und der geringsten Widerstandsschwankung, einer begrenzten Menge an Verunreinigungen und einer beträchtlichen Ladungsträgerlebensdauer sowie einem hohen spezifischen Widerstandsziel sichergestellt.

FZ-Einkristall-Siliziumkristalle und -Wafer werden häufig bei der Herstellung elektronischer Geräte wie Dioden, Thyristoren, IGBTs und Leistungs-MOSFETs oder als Substrat für hochauflösende Teilchen- oder optische Detektoren verwendet. Zugeschnittene, geläppte, geätzte oder polierte Oberflächen in 2″ 3″ 4″ 5″ & 6″ sind erhältlich.

Jetzt anfragen

Einzelheiten

Stichworte

Technische Spezifikation

Nein.	Artikel	Standardspezifikation
1	Größe	2"	3"	4"	5"	6"
2	Durchmesser mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	125±0,5	150±0.5
3	Leitfähigkeit	N/P	N/P	N/P	N/P	N/P
4	Orientierung	(100), (110), (111)
5	Dicke μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 oder nach Bedarf
6	Widerstand Ω-cm	1-3, 3-5, 40-60, 800-1000, 1000-1400 oder nach Bedarf
7	RRV max	8%, 10%, 12%
8	TTV μm max	10	10	10	10	10
9	Bogen/Kettfaden μm max	30	30	30	30	30
10	Oberflächenfinish	Wie geschnitten, L/L, P/E, P/P usw.
11	Verpackung	Schaumstoffbox oder Kassette innen, Kartonbox außen.

Grundmaterialparameter

Symbol	Si
Ordnungszahl	14
Atomares Gewicht	28.09
Elementkategorie	Metalloid
Gruppe, Periode, Block	14, 3, P
Kristallstruktur	Diamant
Farbe	Dunkelgrau
Schmelzpunkt	1414 °C, 2577,2 °F, 1687,15 K
Siedepunkt	3265°C, 5909°F, 3538,15 K
Dichte bei 300K	2,329 g/cm²³
Eigenwiderstand	3.2E5 Ω-cm
CAS-Nummer	7440-21-3
EG-Nummer	231-130-8