wmk_product_02

Epitaxie (EPI) Siliziumwafer

Epitaxie (EPI) Siliziumwafer verwendet die CVD-Technologie zur chemischen Gasphasenabscheidung, um Kristallatome auf die Oberfläche des Substrats und die daraus resultierende mechanische Spannung in der genauen Tiefe der beabsichtigten Dicke der Epischicht einzubringen.

Durch Temperatursteuerungstechniken können die Bauelementschichtmuster des Epitaxieprozesses schließlich viele spezielle Anforderungen in der Forschung und Entwicklung von diskreten Bauelementen oder der Herstellung von Si BiCMOS / Si Bipolar / Si CMOS usw. erfüllen. Homogener oder heterogener Epitaxieprozess für 4″ 5″ oder 6″ ist verfügbar.


Einzelheiten

Stichworte

Technische Spezifikation

Nein. Artikel Standardspezifikation
1 Allgemeine Charakteristiken
1-1 Größe 4" 5" 6"
1-2 Durchmesser mm 100±0,5 125±0,5 150±0.5
1-3 Orientierung (100) oder (111) (100) oder (111) (100) oder (111)
2 Eigenschaften der epitaktischen Schicht
2-1 Wachstumsmethode CVD CVD CVD
2-2 Leitfähigkeitstyp P oder P+, N/ oder N+ P oder P+, N/ oder N+ P oder P+, N/ oder N+
2-3 Dicke μm 2,5-120 2,5-120 2,5-120
2-4 Gleichmäßigkeit der Dicke ≤3% ≤3% ≤3%
2-5 Widerstand Ω-cm 0,1-50 0,1-50 0,1-50
2-6 Einheitlichkeit des spezifischen Widerstands ≤3% ≤5% -
2-7 Versetzung cm-2 <10 <10 <10
2-8 Oberflächenqualität Es bleiben keine Chips, Dunst oder Orangenschalen etc.
3 Eigenschaften des Substrats behandeln
3-1 Wachstumsmethode CZ CZ CZ
3-2 Leitfähigkeitstyp Art.-Nr Art.-Nr Art.-Nr
3-3 Dicke μm 525-675 525-675 525-675
3-4 Dicke Gleichmäßigkeit max 3% 3% 3%
3-5 Widerstand Ω-cm Nach Bedarf Nach Bedarf Nach Bedarf
3-6 Einheitlichkeit des spezifischen Widerstands 5% 5% 5%
3-7 TTV μm max 10 10 10
3-8 Bogen μm max 30 30 30
3-9 Verwerfung μm max 30 30 30
3-10 EPD cm-2 max 100 100 100
3-11 Kantenprofil Gerundet Gerundet Gerundet
3-12 Oberflächenqualität Es bleiben keine Chips, Dunst oder Orangenschalen etc.
3-13 Rückseiten-Finish Geätzt oder LTO (5000±500Å)
4 Verpackung Kassette innen, Karton außen.

 

Grundmaterialparameter

Symbol Si
Ordnungszahl 14
Atomares Gewicht 28.09
Elementkategorie Metalloid
Gruppe, Periode, Block 14, 3, P
Kristallstruktur Diamant
Farbe Dunkelgrau
Schmelzpunkt 1414 °C, 2577,2 °F, 1687,15 K
Siedepunkt 3265°C, 5909°F, 3538,15 K
Dichte bei 300K 2,329 g/cm²3
Eigenwiderstand 3.2E5 Ω-cm
CAS-Nummer 7440-21-3
EG-Nummer 231-130-8

 

Beschaffungstipps

  • Muster auf Anfrage erhältlich
  • Sicherheitslieferung von Waren per Kurier/Luft/See
  • COA/COC-Qualitätsmanagement
  • Sicheres und bequemes Verpacken
  • UN-Standardverpackung auf Anfrage erhältlich
  • Qualitätsprüfung einschließlich XRD/SEM/ICP/GDMS usw.
  • Vollständiger Geltungsbereich der Handelsbedingungen CPT/FOB/CFR/CIP nach Incoterms 2010
  • Flexible Zahlungsbedingungen T/TD/PL/C akzeptabel
  • Volldimensionaler After-Sales-Service
  • ISO9001: 2015 zertifiziert und Rohs/REACH-Verordnungen genehmigt
  • Geheimhaltungsvereinbarungen
  • Nichtkonflikt-Mineralpolitik
  • Regelmäßige Überprüfung des Umweltmanagements
  • Erfüllung sozialer Verantwortung

  • Bisherige:
  • Nächster:

  • QR-Code