Indiumphosphid InP

Beschreibung

Indiumphosphid InP,CAS Nr. 22398-80-7, Schmelzpunkt 1600 °C, ein binärer Verbindungshalbleiter der III-V-Familie, eine flächenzentrierte kubische „Zinkblende“-Kristallstruktur, die mit den meisten III-V-Halbleitern identisch ist, wird synthetisiert 6N 7N hochreines Indium und Phosphorelement und durch LEC- oder VGF-Technik zu Einkristallen gezüchtet.Der Indiumphosphid-Kristall ist dotiert, um eine n-Typ-, p-Typ- oder halbisolierende Leitfähigkeit für die weitere Waferherstellung mit einem Durchmesser von bis zu 6″ (150 mm) zu haben, die sich durch eine direkte Bandlücke, eine überlegene hohe Mobilität von Elektronen und Löchern und eine effiziente Wärme auszeichnet Leitfähigkeit.Indiumphosphid InP Wafer Prime oder Test Grade bei Western Minmetals (SC) Corporation kann mit p-Typ, n-Typ und halbisolierender Leitfähigkeit in Größen von 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll und 6 Zoll (bis zu 150 mm) Durchmesser angeboten werden. Ausrichtung <111> oder <100> und Dicke 350-625 um mit Oberflächenfinish aus geätztem und poliertem oder Epi-Ready-Prozess.Mittlerweile ist Indiumphosphid-Einkristallbarren 2-6″ auf Anfrage erhältlich.Polykristallines Indiumphosphid InP oder Multikristall-InP-Barren in der Größe D (60-75) x Länge (180-400) mm von 2,5-6,0 kg mit einer Trägerkonzentration von weniger als 6E15 oder 6E15-3E16 ist ebenfalls erhältlich.Jede kundenspezifische Spezifikation ist auf Anfrage erhältlich, um die perfekte Lösung zu erreichen.

Anwendungen

Indiumphosphid-InP-Wafer werden häufig für die Herstellung von optoelektronischen Komponenten, elektronischen Hochleistungs- und Hochfrequenzgeräten sowie als Substrat für epitaxiale optoelektronische Geräte auf Indium-Gallium-Arsenid (InGaAs)-Basis verwendet.Indiumphosphid wird auch für äußerst vielversprechende Lichtquellen in der Glasfaserkommunikation, Mikrowellenstromquellen, Mikrowellenverstärker und Gate-FETs, Hochgeschwindigkeitsmodulatoren und Fotodetektoren sowie Satellitennavigation usw. verwendet.