Galliumarsenid GaAs

Beschreibung

GalliumarsenidGaAs ist ein Verbindungshalbleiter mit direkter Bandlücke der Gruppe III-V, synthetisiert aus mindestens 6N 7N hochreinem Gallium und Arsenelement, und gezüchteter Kristall durch VGF- oder LEC-Verfahren aus hochreinem polykristallinem Galliumarsenid, graue Farberscheinung, kubische Kristalle mit Zinkblende-Struktur.Mit der Dotierung von Kohlenstoff, Silizium, Tellur oder Zink, um eine n-Typ- oder p-Typ- bzw. halbisolierende Leitfähigkeit zu erhalten, kann ein zylindrischer InAs-Kristall in Scheiben geschnitten und in Rohlinge und Wafer in geschnittenem, geätztem, poliertem oder Epi- Zustand hergestellt werden -bereit für MBE- oder MOCVD-Epitaxiewachstum.Galliumarsenid-Wafer werden hauptsächlich zur Herstellung elektronischer Geräte wie Infrarotlicht emittierende Dioden, Laserdioden, optische Fenster, Feldeffekttransistoren FETs, lineare digitale ICs und Solarzellen verwendet.GaAs-Komponenten sind nützlich bei Anwendungen mit ultrahohen Radiofrequenzen und schnellen elektronischen Schaltvorgängen sowie Anwendungen zur Verstärkung schwacher Signale.Darüber hinaus ist das Galliumarsenid-Substrat ein ideales Material für die Herstellung von HF-Komponenten, Mikrowellenfrequenz- und monolithischen ICs sowie LEDs in optischen Kommunikations- und Steuerungssystemen aufgrund seiner sättigenden Hallenmobilität, hohen Leistung und Temperaturstabilität.

Lieferung

Galliumarsenid GaAs von Western Minmetals (SC) Corporation kann als polykristalliner Klumpen oder Einkristall-Wafer in geschnittenen, geätzten, polierten oder epi-fertigen Wafern in einer Größe von 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll und 6 Zoll (50 mm, 75 mm, 100 mm, 150 mm) Durchmesser, mit p-Typ, n-Typ oder halbisolierender Leitfähigkeit und <111>- oder <100>-Ausrichtung.Die kundenspezifische Spezifikation ist die perfekte Lösung für unsere Kunden weltweit.