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FZ NTD Siliziumwafer

Beschreibung

FZ-NTD Siliziumwafer, bekannt als Float-Zone Neutron Transmutation Doped Silicon Wafer.Es kann sauerstofffreies, hochreines Silizium mit dem höchsten spezifischen Widerstand gewonnen werden by Float-Zone FZ (Zone-Floating) Kristallzüchtung, HFZ-Siliziumkristalle mit hohem spezifischem Widerstand werden häufig durch Neutronentransmutationsdotierung (NTD) dotiert, bei dem Neutronenbestrahlung auf undotiertes Floatzone-Silizium, um Siliziumisotope zu erzeugen, die mit Neutronen eingefangen werden, und dann in die gewünschten Dotierstoffe zerfallen, um das Dotierungsziel zu erreichen.Durch Anpassung der Höhe der Neutronenstrahlung kann der spezifische Widerstand verändert werden, ohne externe Dotierstoffe einzubringen und somit die Materialreinheit zu gewährleisten.FZ NTD-Siliziumwafer (Float Zone Neutron Transmutation Doping Silicon) haben erstklassige technische Eigenschaften von gleichmäßiger Dotierungskonzentration und gleichmäßiger radialer Widerstandsverteilung, niedrigste Verunreinigungsgrade,und hohe Minoritätsträgerlebensdauer.

Lieferung

Als marktführender Anbieter von NTD-Silizium für vielversprechende Energieanwendungen und im Anschluss an die wachsende Nachfrage nach Wafern auf höchstem Qualitätsniveau, überlegene FZ NTD-Siliziumwaferbei Western Minmetals (SC) Corporation können unseren Kunden weltweit in verschiedenen Größen von 2″, 3″, 4″, 5″ und 6″ Durchmesser (50 mm, 75 mm, 100 mm, 125 mm und 150 mm) und einem breiten Spektrum an spezifischem Widerstand angeboten werden 5 bis 2000 Ohm.cm in den Ausrichtungen <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0-0> mit wie geschnittener, geläppter, geätzter und polierter Oberfläche in Schaumstoffbox oder -kassette , oder als kundenspezifische Spezifikation zur perfekten Lösung.


Einzelheiten

Stichworte

Technische Spezifikation

FZ NTD Siliziumwafer

FZ NTD Silicon wafer

Als marktführender Anbieter von FZ NTD-Silizium für vielversprechende Energieanwendungen und aufgrund der wachsenden Nachfrage nach Wafern auf höchstem Qualitätsniveau kann die Western Minmetals (SC) Corporation unseren Kunden weltweit überlegene FZ NTD-Siliziumwafer in verschiedenen Größen von 2 ″ bis 6″ Durchmesser (50, 75, 100, 125 und 150 mm) und breiter Widerstandsbereich 5 bis 2000 Ohm-cm in <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0- 0> Ausrichtungen mit geläppter, geätzter und polierter Oberfläche in Verpackung, Schaumstoffbox oder Kassette, Kartonbox außen oder als kundenspezifische Spezifikation zur perfekten Lösung.

Nein. Artikel Standardspezifikation
1 Größe 2" 3" 4" 5" 6"
2 Durchmesser 50,8 ± 0,3 76,2 ± 0,3 100 ± 0,5 125 ± 0,5 150 ± 0,5
3 Leitfähigkeit n-Typ n-Typ n-Typ n-Typ n-Typ
4 Orientierung <100>, <111>, <110>
5 Dicke μm 279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 oder nach Bedarf
6 Widerstand Ω-cm 36-44, 44-52, 90-110, 100-250, 200-400 oder nach Bedarf
7 RRV max 8 %, 10 %, 12 %
8 TTV μm max 10 10 10 10 10
9 Bogen/Kette μm max 30 30 30 30 30
10 Trägerlebensdauer μs >200, >300, >400 oder nach Bedarf
11 Oberflächenveredlung Wie geschnitten, geläppt, poliert
12 Verpackung Schaumstoffbox innen, Kartonbox außen.

Grundlegender Materialparameter

Symbol Si
Ordnungszahl 14
Atomares Gewicht 28.09
Elementkategorie Metalloid
Gruppe, Periode, Block 14, 3, S
Kristallstruktur Diamant
Farbe Dunkelgrau
Schmelzpunkt 1414 °C, 1687,15 K
Siedepunkt 3265 °C, 3538,15 K
Dichte bei 300K 2,329 g/cm3
Eigenwiderstand 3,2E5 Ω-cm
CAS-Nummer 7440-21-3
EG-Nummer 231-130-8

FZ-NTD Siliziumwaferist von größter Bedeutung für Anwendungen in Hochleistungs-, Detektortechnologien und in Halbleiterbauelementen, die unter extremen Bedingungen arbeiten müssen oder wo eine geringe Widerstandsvariation über den Wafer erforderlich ist, wie z Transistor GTR, Bipolartransistor mit isoliertem Gate IGBT, zusätzliche HV-Diode PIN.Der n-Typ-Siliziumwafer von FZ NTD dient auch als Hauptfunktionsmaterial für verschiedene Frequenzumrichter, Gleichrichter, Hochleistungssteuerelemente, neue leistungselektronische Geräte, photoelektronische Geräte, Siliziumgleichrichter SR, Siliziumsteuerungs-SCR und optische Komponenten wie Linsen und Fenster für Terahertz-Anwendungen.

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FZ-W1

FZ-W2

PK-26 (2)

pks3

Beschaffungstipps

  • Muster auf Anfrage erhältlich
  • Sichere Warenlieferung per Kurier/Luft/See
  • COA/COC-Qualitätsmanagement
  • Sichere und bequeme Verpackung
  • UN-Standardverpackung auf Anfrage erhältlich
  • ISO9001:2015 zertifiziert
  • CPT/CIP/FOB/CFR-Bedingungen Gemäß Incoterms 2010
  • Flexible Zahlungsbedingungen T/TD/PL/C Akzeptabel
  • Vollständiger dimensionaler Kundendienst
  • Qualitätsprüfung durch hochmoderne Einrichtung
  • Zulassung nach Rohs/REACH-Vorschriften
  • Geheimhaltungsvereinbarung NDA
  • Richtlinie zu konfliktfreien Mineralien
  • Regelmäßige Überprüfung des Umweltmanagements
  • Erfüllung sozialer Verantwortung

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