Beschreibung
FZ-NTD Siliziumwafer, bekannt als Float-Zone Neutron Transmutation Doped Silicon Wafer.Es kann sauerstofffreies, hochreines Silizium mit dem höchsten spezifischen Widerstand gewonnen werden by Float-Zone FZ (Zone-Floating) Kristallzüchtung, HFZ-Siliziumkristalle mit hohem spezifischem Widerstand werden häufig durch Neutronentransmutationsdotierung (NTD) dotiert, bei dem Neutronenbestrahlung auf undotiertes Floatzone-Silizium, um Siliziumisotope zu erzeugen, die mit Neutronen eingefangen werden, und dann in die gewünschten Dotierstoffe zerfallen, um das Dotierungsziel zu erreichen.Durch Anpassung der Höhe der Neutronenstrahlung kann der spezifische Widerstand verändert werden, ohne externe Dotierstoffe einzubringen und somit die Materialreinheit zu gewährleisten.FZ NTD-Siliziumwafer (Float Zone Neutron Transmutation Doping Silicon) haben erstklassige technische Eigenschaften von gleichmäßiger Dotierungskonzentration und gleichmäßiger radialer Widerstandsverteilung, niedrigste Verunreinigungsgrade,und hohe Minoritätsträgerlebensdauer.
Lieferung
Als marktführender Anbieter von NTD-Silizium für vielversprechende Energieanwendungen und im Anschluss an die wachsende Nachfrage nach Wafern auf höchstem Qualitätsniveau, überlegene FZ NTD-Siliziumwaferbei Western Minmetals (SC) Corporation können unseren Kunden weltweit in verschiedenen Größen von 2″, 3″, 4″, 5″ und 6″ Durchmesser (50 mm, 75 mm, 100 mm, 125 mm und 150 mm) und einem breiten Spektrum an spezifischem Widerstand angeboten werden 5 bis 2000 Ohm.cm in den Ausrichtungen <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0-0> mit wie geschnittener, geläppter, geätzter und polierter Oberfläche in Schaumstoffbox oder -kassette , oder als kundenspezifische Spezifikation zur perfekten Lösung.
Technische Spezifikation
Als marktführender Anbieter von FZ NTD-Silizium für vielversprechende Energieanwendungen und aufgrund der wachsenden Nachfrage nach Wafern auf höchstem Qualitätsniveau kann die Western Minmetals (SC) Corporation unseren Kunden weltweit überlegene FZ NTD-Siliziumwafer in verschiedenen Größen von 2 ″ bis 6″ Durchmesser (50, 75, 100, 125 und 150 mm) und breiter Widerstandsbereich 5 bis 2000 Ohm-cm in <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0- 0> Ausrichtungen mit geläppter, geätzter und polierter Oberfläche in Verpackung, Schaumstoffbox oder Kassette, Kartonbox außen oder als kundenspezifische Spezifikation zur perfekten Lösung.
Nein. | Artikel | Standardspezifikation | ||||
1 | Größe | 2" | 3" | 4" | 5" | 6" |
2 | Durchmesser | 50,8 ± 0,3 | 76,2 ± 0,3 | 100 ± 0,5 | 125 ± 0,5 | 150 ± 0,5 |
3 | Leitfähigkeit | n-Typ | n-Typ | n-Typ | n-Typ | n-Typ |
4 | Orientierung | <100>, <111>, <110> | ||||
5 | Dicke μm | 279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 oder nach Bedarf | ||||
6 | Widerstand Ω-cm | 36-44, 44-52, 90-110, 100-250, 200-400 oder nach Bedarf | ||||
7 | RRV max | 8 %, 10 %, 12 % | ||||
8 | TTV μm max | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 |
9 | Bogen/Kette μm max | 30 | 30 | 30 | 30 | 30 |
10 | Trägerlebensdauer μs | >200, >300, >400 oder nach Bedarf | ||||
11 | Oberflächenveredlung | Wie geschnitten, geläppt, poliert | ||||
12 | Verpackung | Schaumstoffbox innen, Kartonbox außen. |
Grundlegender Materialparameter
Symbol | Si |
Ordnungszahl | 14 |
Atomares Gewicht | 28.09 |
Elementkategorie | Metalloid |
Gruppe, Periode, Block | 14, 3, S |
Kristallstruktur | Diamant |
Farbe | Dunkelgrau |
Schmelzpunkt | 1414 °C, 1687,15 K |
Siedepunkt | 3265 °C, 3538,15 K |
Dichte bei 300K | 2,329 g/cm3 |
Eigenwiderstand | 3,2E5 Ω-cm |
CAS-Nummer | 7440-21-3 |
EG-Nummer | 231-130-8 |
FZ-NTD Siliziumwaferist von größter Bedeutung für Anwendungen in Hochleistungs-, Detektortechnologien und in Halbleiterbauelementen, die unter extremen Bedingungen arbeiten müssen oder wo eine geringe Widerstandsvariation über den Wafer erforderlich ist, wie z Transistor GTR, Bipolartransistor mit isoliertem Gate IGBT, zusätzliche HV-Diode PIN.Der n-Typ-Siliziumwafer von FZ NTD dient auch als Hauptfunktionsmaterial für verschiedene Frequenzumrichter, Gleichrichter, Hochleistungssteuerelemente, neue leistungselektronische Geräte, photoelektronische Geräte, Siliziumgleichrichter SR, Siliziumsteuerungs-SCR und optische Komponenten wie Linsen und Fenster für Terahertz-Anwendungen.
Beschaffungstipps
FZ NTD Siliziumwafer