FZ-Siliziumwafer

Beschreibung

FZ-Einkristall-Siliziumwafer,Float-Zone (FZ)-Silizium ist extrem reines Silizium mit einer sehr geringen Konzentration an Sauerstoff- und Kohlenstoffverunreinigungen, das durch die vertikale Floating-Zone-Raffinationstechnologie gezogen wird.Die FZ-Schwebezone ist ein Einkristall-Ingot-Wachstumsverfahren, das sich vom CZ-Verfahren unterscheidet, bei dem der Impfkristall unter dem polykristallinen Siliziumblock angebracht wird und die Grenze zwischen dem Impfkristall und dem polykristallinen Siliziumkristall durch HF-Spulen-Induktionsheizung zur Einkristallisation geschmolzen wird.Die HF-Spule und die geschmolzene Zone bewegen sich nach oben, und entsprechend erstarrt ein Einkristall auf dem Impfkristall.Float-Zone-Silizium wird durch eine gleichmäßige Dotierstoffverteilung, geringere Schwankungen des spezifischen Widerstands, begrenzte Mengen an Verunreinigungen, eine beträchtliche Ladungsträgerlebensdauer, ein Target mit hohem spezifischen Widerstand und hochreines Silizium gewährleistet.Float-Zone-Silizium ist eine hochreine Alternative zu Kristallen, die nach dem Czochralski-CZ-Verfahren gezüchtet werden.Mit den Eigenschaften dieses Verfahrens ist FZ Single Crystal Silicon ideal für die Verwendung bei der Herstellung elektronischer Geräte wie Dioden, Thyristoren, IGBTs, MEMS, Dioden, HF-Geräte und Leistungs-MOSFETs oder als Substrat für hochauflösende Teilchen- oder optische Detektoren , Leistungsgeräte und Sensoren, hocheffiziente Solarzellen usw.

Lieferung

FZ-Einkristall-Siliziumwafer mit N-Typ- und P-Typ-Leitfähigkeit bei Western Minmetals (SC) Corporation können in Größen von 2, 3, 4, 6 und 8 Zoll (50 mm, 75 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm und 200 mm) geliefert werden Ausrichtung <100>, <110>, <111> mit Oberflächenbeschaffenheit wie geschnitten, geläppt, geätzt und poliert in einer Schaumstoffbox oder Kassette mit Karton außen.