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Galliumarsenid GaAs

Beschreibung

GalliumarsenidGaAs ist ein Verbindungshalbleiter mit direkter Bandlücke der Gruppe III-V, synthetisiert aus mindestens 6N 7N hochreinem Gallium und Arsenelement, und gezüchteter Kristall durch VGF- oder LEC-Verfahren aus hochreinem polykristallinem Galliumarsenid, graue Farberscheinung, kubische Kristalle mit Zinkblende-Struktur.Mit der Dotierung von Kohlenstoff, Silizium, Tellur oder Zink, um eine n-Typ- oder p-Typ- bzw. halbisolierende Leitfähigkeit zu erhalten, kann ein zylindrischer InAs-Kristall in Scheiben geschnitten und in Rohlinge und Wafer in geschnittenem, geätztem, poliertem oder Epi- Zustand hergestellt werden -bereit für MBE- oder MOCVD-Epitaxiewachstum.Galliumarsenid-Wafer werden hauptsächlich zur Herstellung elektronischer Geräte wie Infrarotlicht emittierende Dioden, Laserdioden, optische Fenster, Feldeffekttransistoren FETs, lineare digitale ICs und Solarzellen verwendet.GaAs-Komponenten sind nützlich bei Anwendungen mit ultrahohen Radiofrequenzen und schnellen elektronischen Schaltvorgängen sowie Anwendungen zur Verstärkung schwacher Signale.Darüber hinaus ist das Galliumarsenid-Substrat ein ideales Material für die Herstellung von HF-Komponenten, Mikrowellenfrequenz- und monolithischen ICs sowie LEDs in optischen Kommunikations- und Steuerungssystemen aufgrund seiner sättigenden Hallenmobilität, hohen Leistung und Temperaturstabilität.

Lieferung

Galliumarsenid GaAs von Western Minmetals (SC) Corporation kann als polykristalliner Klumpen oder Einkristall-Wafer in geschnittenen, geätzten, polierten oder epi-fertigen Wafern in einer Größe von 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll und 6 Zoll (50 mm, 75 mm, 100 mm, 150 mm) Durchmesser, mit p-Typ, n-Typ oder halbisolierender Leitfähigkeit und <111>- oder <100>-Ausrichtung.Die kundenspezifische Spezifikation ist die perfekte Lösung für unsere Kunden weltweit.


Einzelheiten

Stichworte

Technische Spezifikation

Galliumarsenid

GaAs

Gallium Arsenide

Galliumarsenid GaAsWafer werden hauptsächlich zur Herstellung elektronischer Geräte wie Infrarotlicht emittierende Dioden, Laserdioden, optische Fenster, Feldeffekttransistoren FETs, lineare digitale ICs und Solarzellen verwendet.GaAs-Komponenten sind nützlich bei Anwendungen mit ultrahohen Radiofrequenzen und schnellen elektronischen Schaltvorgängen sowie Anwendungen zur Verstärkung schwacher Signale.Darüber hinaus ist das Galliumarsenid-Substrat ein ideales Material für die Herstellung von HF-Komponenten, Mikrowellenfrequenz- und monolithischen ICs sowie LEDs in optischen Kommunikations- und Steuerungssystemen aufgrund seiner sättigenden Hallenmobilität, hohen Leistung und Temperaturstabilität.

Nein. Artikel Standardspezifikation   
1 Größe 2" 3" 4" 6"
2 Durchmesser mm 50,8 ± 0,3 76,2 ± 0,3 100 ± 0,5 150 ± 0,5
3 Wachstumsmethode VGF VGF VGF VGF
4 Leitfähigkeitstyp N-Typ/Si oder Te-dotiert, P-Typ/Zn-dotiert, halbisolierend/nicht dotiert
5 Orientierung (100) ±0,5° (100) ±0,5° (100) ±0,5° (100) ±0,5°
6 Dicke μm 350±25 625±25 625±25 650±25
7 Ausrichtung Flach mm 17±1 22±1 32±1 Einkerbung
8 Bezeichnung Flach mm 7±1 12±1 18±1 -
9 Widerstand Ω-cm (1-9)E(-3) für p-Typ oder n-Typ, (1-10)E8 für halbisolierend
10 Mobilität cm2/vs 50-120 für p-Typ, (1-2,5) E3 für n-Typ, ≥4000 für halbisolierend
11 Trägerkonzentration cm-3 (5-50) E18 für p-Typ, (0,8-4) E18 für n-Typ
12 TTV μm max 10 10 10 10
13 Bogen μm max 30 30 30 30
14 Krümmung μm max 30 30 30 30
15 EPD cm-2 5000 5000 5000 5000
16 Oberflächenveredlung P/E, P/P P/E, P/P P/E, P/P P/E, P/P
17 Verpackung Einzelner Waffelbehälter, versiegelt in einem Aluminiumverbundbeutel.
18 Bemerkungen Auf Anfrage sind auch GaAs-Wafer in mechanischer Qualität erhältlich.
Lineare Formel GaAs
Molekulargewicht 144.64
Kristallstruktur Zinkblende
Aussehen Grauer kristalliner Feststoff
Schmelzpunkt 1400°C, 2550°F
Siedepunkt N / A
Dichte bei 300K 5,32 g/cm3
Energielücke 1,424 eV
Eigenwiderstand 3,3E8 Ω-cm
CAS-Nummer 1303-00-0
EG-Nummer 215-114-8

Galliumarsenid GaAsbei Western Minmetals (SC) Corporation kann als polykristalliner Klumpen oder Einkristall-Wafer in geschnittenen, geätzten, polierten oder epi-fertigen Wafern in einer Größe von 2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll und 6 Zoll (50 mm, 75 mm, 100 mm) geliefert werden , 150 mm) Durchmesser, mit p-Typ, n-Typ oder halbisolierender Leitfähigkeit und <111>- oder <100>-Orientierung.Die kundenspezifische Spezifikation ist die perfekte Lösung für unsere Kunden weltweit.

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Beschaffungstipps

  • Muster auf Anfrage erhältlich
  • Sichere Warenlieferung per Kurier/Luft/See
  • COA/COC-Qualitätsmanagement
  • Sichere und bequeme Verpackung
  • UN-Standardverpackung auf Anfrage erhältlich
  • ISO9001:2015 zertifiziert
  • CPT/CIP/FOB/CFR-Bedingungen Gemäß Incoterms 2010
  • Flexible Zahlungsbedingungen T/TD/PL/C Akzeptabel
  • Vollständiger dimensionaler Kundendienst
  • Qualitätsprüfung durch hochmoderne Einrichtung
  • Zulassung nach Rohs/REACH-Vorschriften
  • Geheimhaltungsvereinbarung NDA
  • Richtlinie zu konfliktfreien Mineralien
  • Regelmäßige Überprüfung des Umweltmanagements
  • Erfüllung sozialer Verantwortung

Galliumarsenid-Wafer


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