Indiumantimonid InSb

Beschreibung

INdiumantimonid InSb, ein Halbleiter aus kristallinen Verbindungen der Gruppe III–V mit Zinkblende-Gitterstruktur, wird durch hochreine 6N 7N-Indium- und Antimonelemente synthetisiert und durch das VGF-Verfahren oder das Liquid Encapsulated Czochralski LEC-Verfahren aus einem in mehreren Zonen raffinierten polykristallinen Barren einkristallgezüchtet. die anschließend geschnitten und zu Wafern und Blöcken verarbeitet werden können.InSb ist ein Halbleiter mit direktem Übergang mit einer schmalen Bandlücke von 0,17 eV bei Raumtemperatur, hoher Empfindlichkeit bei 1–5 μm Wellenlänge und ultrahoher Hall-Beweglichkeit.Indiumantimonid InSb n-Typ, p-Typ und halbisolierende Leitfähigkeit bei Western Minmetals (SC) Corporation kann in Größen von 1″ 2″ 3″ und 4″ (30 mm, 50 mm, 75 mm, 100 mm) Durchmesser, Ausrichtung < angeboten werden 111> oder <100> und mit Wafer-Oberflächenbeschaffenheit wie geschnitten, geläppt, geätzt und poliert.Indium-Antimonid-InSb-Targets mit einem Durchmesser von 50–80 mm mit undotiertem n-Typ sind ebenfalls erhältlich.In der Zwischenzeit werden polykristallines Indiumantimonid InSb (multikristallines InSb) mit der Größe eines unregelmäßigen Klumpens oder Rohlings (15-40) x (40-80) mm und Rundstangen von D30-80 mm auf Anfrage ebenfalls für die perfekte Lösung angepasst.

Anwendung

Indiumantimonid InSb ist ein ideales Substrat für die Herstellung vieler hochmoderner Komponenten und Geräte, wie z. B. fortschrittliche Wärmebildlösungen, FLIR-Systeme, Hall-Elemente und Elemente mit Magnetwiderstandseffekt, Infrarot-Zielsuchflugkörper-Lenksysteme und hochempfindliche Infrarot-Fotodetektorsensoren , hochpräziser magnetischer und rotierender Widerstandssensor, fokale planare Arrays und auch als Terahertz-Strahlungsquelle und in astronomischen Infrarot-Weltraumteleskopen usw. angepasst.

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Einzelheiten

Stichworte

Technische Spezifikation

Indiumantimonid

InSb

Indiumantimonid-Substrat(InSb-Substrat, InSb-Wafer) n-Typ oder p-Typ bei Western Minmetals (SC) Corporation können in Größen von 1" 2" 3" und 4" (30, 50, 75 und 100 mm) Durchmesser, Ausrichtung <111> oder <100> angeboten werden, und mit geläppter, geätzter und polierter Waferoberfläche Indium-Antimonid-Einkristallstab (InSb-Einkristallstab) kann auf Anfrage ebenfalls geliefert werden.

IndiumantimonidPPolykristallin (Polykristallines InSb oder multikristallines InSb) mit unregelmäßiger Klumpengröße oder Rohling (15-40) x (40-80) mm werden auf Anfrage ebenfalls für die perfekte Lösung angepasst.

Mittlerweile ist auch ein Indium-Antimonid-Target (InSb-Target) mit einem Durchmesser von 50–80 mm mit undotiertem n-Typ erhältlich.

Nein.	Artikel	Standardspezifikation
1	Indiumantimonid-Substrat	2"	3"	4"
2	Durchmesser mm	50,5 ± 0,5	76,2 ± 0,5	100 ± 0,5
3	Wachstumsmethode	LEC	LEC	LEC
4	Leitfähigkeit	P-Typ/Zn, Ge-dotiert, N-Typ/Te-dotiert, undotiert
5	Orientierung	(100) ± 0,5°, (111) ± 0,5°
6	Dicke μm	500±25	600±25	800±25
7	Ausrichtung Flach mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Bezeichnung Flach mm	8±1	11±1	18±1
9	Mobilität cm2/Vs	1-7E5 N/nicht dotiert, 3E5-2E4 N/Te-dotiert, 8-0,6E3 oder ≤8E13 P/Ge-dotiert
10	Trägerkonzentration cm-3	6E13-3E14 N/undotiert, 3E14-2E18 N/Te-dotiert, 1E14-9E17 oder <1E14 P/Ge-dotiert
11	TTV μm max	15	15	15
12	Bogen μm max	15	15	15
13	Krümmung μm max	20	20	20
14	Versetzungsdichte cm-2 max	50	50	50
15	Oberflächenveredlung	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Verpackung	Einzelwaffelbehälter in Aluminiumbeutel versiegelt.

Nein.	Artikel	Standardspezifikation
Nein.	Artikel	INdiumantimonid Polykristallin	Indium-Antimonid-Target
1	Leitfähigkeit	Undotiert	Undotiert
2	Trägerkonzentration cm^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	Mobilität cm²/Vs	5-7E5	6.9-7.9E4
4	Größe	15-40x40-80 mm	D(50-80) mm
5	Verpackung	Im Alu-Verbundbeutel, Karton außen

Lineare Formel	InSb
Molekulargewicht	236.58
Kristallstruktur	Zinkblende
Aussehen	Dunkelgraue metallische Kristalle
Schmelzpunkt	527 Grad
Siedepunkt	N / A
Dichte bei 300K	5,78 g/cm³
Energielücke	0,17 eV
Eigenwiderstand	4E(-3) Ω-cm
CAS-Nummer	1312-41-0
EG-Nummer	215-192-3

Indiumantimonid InSbWafer ist ein ideales Substrat für die Herstellung vieler hochmoderner Komponenten und Geräte, wie z -Präzisions-Magnet- und Rotationswiderstandssensor, Fokal-Planar-Arrays und auch als Terahertz-Strahlungsquelle und in astronomischen Infrarot-Weltraumteleskopen usw. geeignet.